2026年10月，围绕中国光刻机的国际争论再次升温。美国研究机构提出进一步限制对华供应浸没式光刻设备，荷兰则对美国试图扩大域外管辖的做法提出异议。两国都曾对中国先进半导体能力的发展表达安全关切，但公开资料并不能证明双方曾联合发布针对中国国产光刻机技术性能的批评声明。真正值得关注的是，美荷为什么持续围绕中国芯片制造能力调整政策，以及中国自主研发取得进展后，国际半导体产业的竞争规则正在发生什么变化。 这场技术较量不是突然出现的。早在2019年前后，美国便逐步加强对中国先进半导体产业的限制，荷兰阿斯麦公司的极紫外光刻设备也成为关注焦点。EUV光刻机采用13.5纳米波长光源，制造难度极高，需要精密光学、真空环境、运动控制和复杂软件共同配合。中国企业长期无法正常采购这类设备，意味着先进制程研发必须寻找其他技术路径。这也是中国持续投入国产光刻机研发的重要原因。 2022年10月，美国商务部公布新的半导体出口管制规定，限制部分先进计算芯片和制造设备流向中国。2023年3月，荷兰宣布加强先进半导体制造设备出口管理，同年9月正式实施相关许可制度。2024年9月7日，荷兰又扩大了浸没式深紫外光刻设备的许可范围，将阿斯麦部分NXT系列设备纳入本国审批体系。美国负责推动限制，荷兰掌握关键设备，两国政策逐渐形成相互配合的局面。 但荷兰的态度并不完全等同于美国。2025年1月15日，荷兰政府宣布继续扩大半导体设备出口许可范围，新增部分测量和检测技术，相关调整于4月1日实施。荷兰官方特别说明，出口许可管理不等于全面禁止出口，具体申请仍需逐项审查。这一点非常关键。美国希望尽可能限制中国先进芯片制造能力，荷兰则必须考虑本国法律、企业经营和国际供应链稳定，双方虽然存在合作，却并非没有利益分歧。 对于中国而言，外部限制带来的直接问题，就是先进生产设备的采购不确定性。光刻机不是普通工业机械，购买设备只是开始，后续还需要安装调试、软件更新、精密零件更换和长期维护。如果出口限制从新设备延伸到已经交付设备的售后服务，企业就必须考虑生产线持续运行的风险。尤其是先进芯片制造，一台关键设备停机就可能影响整条生产线的生产节奏，因此中国推进设备国产化，首先解决的是产业安全问题。 中国在光刻设备领域并非完全没有技术基础。上海微电子长期从事光刻设备研发，其公开产品资料显示，SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小投影物镜、精密运动平台和自动调焦调平技术，可用于90纳米、110纳米及280纳米相关制造工艺。这些技术参数虽然不能与国际最先进EUV设备直接相比，但说明中国已经在部分芯片制造环节形成实际设备研发能力。光刻机国产化需要逐步积累，不能只按照最高端设备是否突破来判断整个产业。 2025年12月25日，中国政府采购网公布一项步进扫描式光刻机采购结果，上海微电子以约1.1亿元的成交金额，提供一台SSC800/10设备。这是一项能够查到采购型号、供应商和金额的公开记录，比网络上没有来源的技术传闻更有参考价值。不过，采购公告并未完整披露设备的曝光波长、套刻精度、量产良率和生产效率，也没有证明其具备国际先进制程的大规模量产能力。技术评价必须依据公开参数，不能把设备采购直接等同于全面突破。 进入2026年，国产光刻机的讨论出现明显变化。3月至5月，网络上广泛传播上海微电子28纳米浸没式光刻机已经批量交付、良率达到90%至95%的消息。5月20日，《21世纪经济报道》对相关传闻进行核查，指出所谓批量交付和良率数据缺少可靠依据，部分说法与实际情况存在较大出入。这件事给行业带来一个重要提醒：国产设备研发确实值得关注，但设备样机、工程验证、客户验收和批量生产属于不同阶段，不能混为一谈。 2026年7月28日，国际媒体援引匿名知情人士消息称，中国企业已经启动国产浸没式DUV光刻设备的生产工作，相关团队正在整合技术和产业资源。与此前单纯讨论技术样机不同，这类消息开始涉及设备制造组织和产业化安排。但由于企业尚未充分公开具体生产规模、交付清单和客户验收数据，外界仍难以独立确认其商业化程度。即使国产浸没式设备取得重要进展，也需要经过实际晶圆生产检验，才能判断与国际成熟设备之间的差距。 2026年7月31日，中国政府采购网还公布了中国科学院上海微系统与信息技术研究所的晶圆光刻机采购结果。上海图双精密装备有限公司以896万元中标，设备型号为Lieth 5500iza/365nm。这里必须注意，365纳米指的是曝光光源波长，不是芯片制造节点，更不能将这台设备称为365纳米先进制程设备。这项采购说明国内科研和专用制造领域存在实际设备需求，也说明中国光刻设备市场并非只有先进逻辑芯片制造这一条发展路线。 中国光刻设备的发展方向，实际上可以分成几个层次。第一层是满足科研、封装、功率器件等领域的设备需求，第二层是提高成熟制